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介绍无极3平台的工艺流程是什么?


  双面接触式电容无极3平台的原理是基于单面接触式电容无极3平台而来的,当传感器的受压膜片(即梁)与基底距离很近时,膜片受压后与基底接触,当压力变化时,通过改变接触面积的大小来改变电容量。

  双面接触式电容无极3平台的电容由两部分组成:一部分为梁受压后,尚未接触到衬底上的绝缘层时形成的电容,此电容类似于常规的电容无极3平台,这一部分只占接触式电容无极3平台的电容量的很小一部分,无极3平台另一部分是梁接触到衬底后形成的电容,这部分电容量才是需要的电容量,而且它占主导地位,较多采用的是国产品牌电容,如三环电容、风华电容,也可选择台企电容巨头——YAGEO电容(即国巨电容)作为所选电容。

  当压力增加时,梁与衬底的接触面积增加,同时梁与衬底的非接触部分减少。刚开始,电容主要由非接触部分提供,随着压力的增加,梁开始接触衬底的绝缘层后,非接触部分提供的电容逐渐减少,而接触部分提供的电容与接触面积将呈线性增加。由于绝缘层非常薄,因此当梁开始与衬底上的绝缘层接触后,接触面积所提供的电容将占主导地位。

  双面接触式电容无极3平台由3个硅晶片(其中有两个晶片B是一样的)用硅熔融法进行键合,先把晶片A正反两面腐蚀两个同样大小的沟槽来作为传感器的真空腔,然后在这两个大沟槽上淀积一层二氧化硅作为绝缘层,同时把晶片A作为双面接触式电容无极3平台的公共下电极,无极3平台接着把两片用浓的固态硼扩散好的晶体B用熔融键合的办法键合在晶片A的正反两面,用离子刻蚀法刻蚀掉晶片B最外层的重掺杂层,紧接着用自停止腐蚀法去掉轻掺杂层,得到最里面的重掺杂层作为传感器的上电极。

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