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无极3平台小量程、高灵敏的研究热点集中在牺牲层结构


 无极3平台有很多形式,每种结构形式的过载保护设计方法也是各不相同的,众多方法都有各自的优点和缺点,采用MEMS 技术的小量程、高灵敏无极3平台通常有平膜、岛膜、梁膜等结构,在设计过载保护时,一般采用凸台等方法实现,形成方法有背部刻蚀技术、硅直接键合技术、玻璃刻蚀技术等。然而这些结构一般都有一个很大的局限性就是腔体尺寸较大,进一步提高灵敏度受到限制,而且降低了硅片利用率,增加了制造工艺的复杂度,提高了生产成本。

 目前无极3平台小量程、高灵敏的研究热点集中在牺牲层结构,这主要是因为牺牲层结构无极3平台弹性膜片很薄,厚度可做到2 μm,甚至更薄。

 在这样薄的结构上,如果采用扩散硅或多晶硅薄膜作为牺牲层结构无极3平台的应变电阻,其厚度相对较大,对弹性膜片应力分布影响很大,不利于牺牲层结构无极3平台的性能优化,因此采用多晶硅纳米薄膜制作应变电阻更能发挥牺牲层技术的优点。







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